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型号 NDS9958
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET N+P 20V 3A 8-SOIC
NDS9958 PDF
代理商 NDS9958
标准包装 2,500
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 525pF @ 10V
功率 - 最大 900mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
其它名称 NDS9958TR
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